Micron duplica la velocidad de la memoria DDR5 con la llegada de DDR6

Micron ha revelado una hoja de ruta tecnológica ambiciosa diseñada para satisfacer las crecientes demandas de la inteligencia artificial. Micron duplica la velocidad de DDR5 con la llegada de DDR6 La compañía busca aumentar los límites de desempeño y de consumo eléctrico en data centers, dispositivos móviles y sistemas de computación de alto rendimiento mediante avances claves en las memorias DRAM y almacenamiento NAND. Por el lado de la memoria RAM, la arquitectura DDR6 se perfila como un salto generacional al duplicar el ancho de banda ofrecido por DDR5.

Micron ha revelado una hoja de ruta tecnológica ambiciosa diseñada para satisfacer las crecientes demandas de la inteligencia artificial. La compañía busca aumentar los límites de desempeño y de consumo eléctrico en data centers, dispositivos móviles y sistemas de computación de alto rendimiento mediante avances claves en las memorias DRAM y almacenamiento NAND. Por el lado de la memoria RAM, la arquitectura DDR6 se perfila como un salto generacional al duplicar el ancho de banda ofrecido por DDR5. En paralelo, LPDDR6 promete una mejora en la eficiencia energética superior al 35% respecto a LPDDR5, lo que resulta fundamental tanto para smartphones de gama alta como para centros de datos enfocados en la eficiencia. Ambos estándares estarán impulsados por el próximo nodo de fabricación 1δ (1-Delta) de Micron, que está introduciendo un control de procesos a nivel de ángstrom y una densidad de bits significativamente optimizada. Te recomendamos nuestra guía sobre las mejores memorias RAM del mercado Para aplicaciones críticas de IA, donde la transferencia rápida de datos determina la velocidad de procesamiento, Micron apuesta por la innovación en la memoria HBM. La firma planea evo

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