Intel asegura a SK hynix memoria HBM de próxima generación con empaquetado EMIB
SK hynix colaborará con Intel para integrar memoria HBM en el empaquetado avanzado EMIB. Esta integración soporta la transición de los pines de 1,024 a 2,048 en HBM4 y permite entrega vertical de energía para módulos de memoria 3D.
Intel Foundry está logrando otro éxito significativo ya que SK hynix, un fabricante líder de memoria, reportaría convertirse en cliente para el empaquetado avanzado EMIB. Durante Hot Chips 2026, SK hynix mencionó que está colaborando con TSMC para integrar memoria HBM en CoWoS-L, CoWoS-S, CoWoS-R y, lo más importante, Intel EMIB. Por ejemplo, la discusión de SK hynix se centró en el progreso de la memoria desde aproximadamente 1.024 pines hasta 2.048 pines en el último HBM4.
El número de TSV está aumentando, y la integración requiere empaquetado 2.5D, unión híbrida, así como integración DRAM 3D para lograr tecnología de memoria de próxima generación con aceleradores avanzados de IA. A medida que los clientes buscan cada vez más diversificarse de CoWoS de TSMC, la familia EMIB de Intel ofrece muchas opciones atractivas, particularmente con EMIB-T. Esta variante incluye TSV para habilitar la entrega vertical de energía a través de múltiples chips apilados, soportando el concepto de entrega de energía vertical de SK hynix para módulos de memoria 3D a nivel de empaque con EMIB-T.
BITGITAL SHOP · Guayaquil, Ecuador · WhatsApp +593 96 369 1871